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QS5U26
Transistor
2.5V Drive Pch+SBD MOSFET
QS5U26
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Schottky Barrier DIODE
Dimensions (Unit : mm)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
Features
1) The QS5U26 combines Pch MOSFET with
(5)
(4)
0~0.1
a Schottky barrier diode in a TSMT5 package.
2) Low on-state resistance with fast switching.
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
3) Low voltage drive (2.5V).
4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage.
Applications
Switching
Packaging specifications
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : U26
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(5)
? 2
(4)
QS5U26
? 1
(1)Gate
(1)
? 1 ESD protection diode
? 2 Body diode
(2)
(3)
(2)Source
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
Rev.B
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